英特爾推出新型快閃記憶體晶片，能提升行動電話、個人數位助理(PDA)、以及其它無線通訊裝置的效能。
核心電壓為三伏特的Intel StrataFlash記憶體，採用0.18微米製程晶片，為英特爾第三代多層細胞(Multi-Level Cell, MLC)科技的結晶，能在單一記憶體細胞中儲存兩倍的資料量，同步式(Synchronous)資料讀取速度比傳統快閃記憶體快上四倍。
英特爾亞太區行銷總監黃逸松表示，自從1997年以來，英特爾StrataFlash記憶體的出貨已超越20億megabits，隨著愈來愈多的行動電話、個人數位助理、以及其它裝置開始採用我們的技術，預估到明年的出貨量將更為顯著增加。
英特爾表示新晶片高速讀取的功能讓軟體應用能直接從快閃記憶體執行程式碼，而不須下載至裝置的隨機存取記憶體才能執行，因此能節省冗餘系統記憶體與機板空間的成本。同步式英特爾StrataFlash記憶體透過66MHz的突發模式，進一步提高讀取速度。同步突發模式能將記憶體的傳輸流量提高至92 MB/s，比非同步讀取模式的標準快閃記憶體產品快上四倍。
而對於無法支援同步突發模式的裝置，新晶片亦提供八組字元的分頁模式，其讀取資料的速度比傳統非同步快閃記憶體產品快上兩倍。同步式英特爾StrataFlash記憶體採用三伏特電壓支援核心裝置，並提供3或1.8伏特的I/O版本。
3 伏特的同步式英特爾StrataFlash記憶體推出64 Mbit 至256 Mbit等多種規格產品。128 Mbit版本記憶體現已開始供應樣本，預計於2002年四月開始量產。產品每萬顆量購定價從64 Mbit的10美元至256 Mbit的35美元。
