南亞科技與德國億恆公司於今日( 5/2 )共同簽訂0.09微米及0.07微米技術合作備忘錄(MoU)，並將在台灣共同合資興建先進12吋DRAM晶圓廠。
合約內容指出，二家半導體公司將共同開發先進之0.09微米及0.07微米技術製程，共同分攤研發費用，降低成本，同時，雙方並同意各以1/2資金計劃於10月在台灣共同興建12吋晶圓廠，此晶圓廠將座落於林口華亞園區，採用0.09微米製程技術，2003年投產，初期將引進2萬片之設備，未來視需求逐月擴充產能，預定於兩年後(2004年)全面量產。
德國億恆執行長舒馬克博士認為，億恆將擴展與台灣業者之合作, 並持續提昇在亞洲區記憶體市場的佔有率，基於二家公司的製程技術相同，南亞科技是億恆理想合作夥伴，未來將共同開發新技術並在台灣共同合建半導體廠，這將使得億恆技術領域及成本方面居於領導之優勢。
南科總經理連日昌博士表示，與億恆之合作，主要是結合二家公司之長處，在溝槽式記憶體技術開發及製造生產上共同合作。
南亞科技將派遣工程師在億恆Dresden廠共同研發0.09微米與0.07微米製程技術，雙方並共同擁有此技術，未來將應用於新建之12吋晶圓廠；同時並將0.09微米溝槽式技術移轉至南科現有之8吋晶圓廠中。
