英飛凌宣佈發表首批1-Gbit DDR SDRAM，採用110nm CMOS製
程製造，晶片的面積只有160mm2。
新1-Gbit DRAM 採用標準的400-mil、66-pin TSOP(Thin Small
Outline Package)封裝，或是 68-ball 細密球型網陣列FBGA
(Fine-pitch Ball Grid Array)的封裝，可應用在有空間限制的地
方。新產品支援 x4, x8 和 x16之組合。1-Gbit DDR SDRAM 涵
蓋所有普遍使用的 DDR 之數據傳輸率，從DR266 至DDR400，
操作的時脈(clock)速度從133 MHz 至200 MHz。
英飛凌記憶體產品事業群執行長Harald Eggers表示：「採
用trench-cell DRAM技術此項技術，不僅能以最經濟的方式生
產新世代的DRAM 產品，還能更進一步增加高階伺服器和工
作站中記憶體的密度，因此，大為改善今日電腦的速度、效
能和使用者操作的便利度。」
為能在每一模組中達到最高的記憶體密度，英飛凌將採
用FBGA包裝中的堆疊版本方式，來生產 4-GByte registered
modules。此項技術稱之為”雙晶粒堆疊”(Dual Die Stack)，它
是在第一個矽晶片上再放上第二個晶片，將此堆疊後之晶片
包入一個高度較高之FBGA。運用此項創新堆疊方式，此外，
該公司亦將推出堆疊式TSOP包裝的4-GByte registered DIMM (
Dual-Inline Memory Modules) modules。
1-Gbit DDR SDRAM 之產品主要應用於高階伺服器和工作站中
的高密度registered & unbuffered的模組中。可應用之產品
為4-GByte 和2-GByte 密度之DIMM 以及 2-GByte 密度
之unbuffered DIMM。 在筆記型電腦方面，將會提供採用這類
新一代記憶體的2-GByte和1-GByte密度之小型 DIMM
(SO-DIMM)。在2003年第四季將開始所有模組的樣品試產，
於2004年初後將開始進入量產。
英飛凌將於德國 Dresden的晶圓廠先行生產這項新產品，預
計將在2003年第四季開始供應新的1-Gbit DDR SDRAM 。
